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元器件失效分析方法

  • 發(fā)布日期:2024-12-10      瀏覽次數(shù):362
    • 元器件失效分析方法

      器件一旦壞了,千萬(wàn)不要敬而遠(yuǎn)之,而應(yīng)該如獲至寶。

      開(kāi)車的人都知道,哪里最能練出駕駛水平?高速公路不行,只有鬧市和不良路況才能提高水平。社會(huì)的發(fā)展就是一個(gè)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題解決問(wèn)題的過(guò)程,出現(xiàn)問(wèn)題不可怕,但頻繁出現(xiàn)同一類問(wèn)題是非常可怕的。

      失效分析基本概念

      定義:對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷過(guò)程。

      1、進(jìn)行失效分析往往需要進(jìn)行電測(cè)量并采用先進(jìn)的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。

      2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機(jī)理,提出糾正措施,防止這種失效模式和失效機(jī)理的重復(fù)出現(xiàn)。

      3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式,如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。

      4、失效機(jī)理是指失效的物理化學(xué)過(guò)程,如疲勞、腐蝕和過(guò)應(yīng)力等。

      失效分析的一般程序

      1、收集現(xiàn)場(chǎng)場(chǎng)數(shù)據(jù)

      2、電測(cè)并確定失效模式

      3、非破壞檢查

      4、打開(kāi)封裝

      5、鏡驗(yàn)

      6、通電并進(jìn)行失效定位

      7、對(duì)失效部位進(jìn)行物理、化學(xué)分析,確定失效機(jī)理。

      8、綜合分析,確定失效原因,提出糾正措施。

      1、收集現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù):

      應(yīng)力類型

      試驗(yàn)方法

      可能出現(xiàn)的主要失效模式

      電應(yīng)力

      靜電、過(guò)電、噪聲

      MOS器件的柵擊穿、雙極型器件的pn結(jié)擊穿、功率晶體管的二次擊穿、CMOS電路的閂鎖效應(yīng)

      熱應(yīng)力

      高溫儲(chǔ)存

      金屬-半導(dǎo)體接觸的AlSi互溶,歐姆接觸退化,pn結(jié)漏電、Au-Al鍵合失效

      低溫應(yīng)力

      低溫儲(chǔ)存

      芯片斷裂

      低溫電應(yīng)力

      低溫工作

      熱載流子注入

      高低溫應(yīng)力

      高低溫循環(huán)

      芯片斷裂、芯片粘接失效

      熱電應(yīng)力

      高溫工作

      金屬電遷移、歐姆接觸退化

      機(jī)械應(yīng)力

      振動(dòng)、沖擊、加速度

      芯片斷裂、引線斷裂

      輻射應(yīng)力

      X射線輻射、中子輻射

      電參數(shù)變化、軟錯(cuò)誤、CMOS電路的閂鎖效應(yīng)

      氣候應(yīng)力

      高濕、鹽霧

      外引線腐蝕、金屬化腐蝕、電參數(shù)漂移

      2、電測(cè)并確定失效模式

      電測(cè)失效可分為連接性失效、電參數(shù)失效和功能失效。

      連接性失效包括開(kāi)路、短路以及電阻值變化。這類失效容易測(cè)試,現(xiàn)場(chǎng)失效多數(shù)由靜電放電(ESD)和過(guò)電應(yīng)力(EOS)引起。

      電參數(shù)失效,需進(jìn)行較復(fù)雜的測(cè)量,主要表現(xiàn)形式有參數(shù)值超出規(guī)定范圍(超差)和參數(shù)不穩(wěn)定。

      確認(rèn)功能失效,需對(duì)元器件輸入一個(gè)已知的激勵(lì)信號(hào),測(cè)量輸出結(jié)果。如測(cè)得輸出狀態(tài)與預(yù)計(jì)狀態(tài)相同,則元器件功能正常,否則為失效,功能測(cè)試主要用于集成電路。

      三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時(shí)常可歸結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測(cè)試設(shè)備和測(cè)試程序的情況下,有可能用簡(jiǎn)單的連接性測(cè)試和參數(shù)測(cè)試方法進(jìn)行電測(cè),結(jié)合物理失效分析技術(shù)的應(yīng)用仍然可獲得令人滿意的失效分析結(jié)果。

      3、非破壞檢查

      名稱

      應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

      主要原理

      X射線透視技術(shù)

      以低密度區(qū)為背景,觀察材料的高密度區(qū)的密度異常點(diǎn)

      透視X光的被樣品局部吸收后成象的異常

      反射式掃描聲學(xué)顯微術(shù)(CSAM

      以高密度區(qū)為背景,觀察材料內(nèi)部空隙或低密度區(qū)

      超聲波遇空隙受阻反射


      4、打開(kāi)封裝

      開(kāi)封方法有機(jī)械方法和化學(xué)方法兩種,按封裝材料來(lái)分類,微電子器件的封裝種類包括玻璃封裝(二極管)、金屬殼封裝、陶瓷封裝、塑料封裝等。?

      機(jī)械開(kāi)封

      ?化學(xué)開(kāi)封

      5、顯微形貌像技術(shù)

      光學(xué)顯微鏡分析技術(shù)

      掃描電子顯微鏡的二次電子像技術(shù)

      電壓效應(yīng)的失效定位技術(shù)

      6、半導(dǎo)體主要失效機(jī)理分析

      電應(yīng)力(EOD)損傷

      靜電放電(ESD)損傷

      封裝失效

      引線鍵合失效

      芯片粘接不良

      金屬半導(dǎo)體接觸退化

      鈉離子沾污失效

      氧化層針孔失效



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